说说ROHM推出现业界超trr的100V耐压SBD“YQ系列”

哈利路亚666

采用沟槽MOS结构，使存在权衡关系的VF和IR相比以往产品得到显著改善ROHM推出现业界超的0V耐压SBD“YQ系列”期间伍尔特也做了许多的调整，调转了产品研发的方向，为了更好的迎合市场的需求。伍尔特配件，我们专门销售安装和装配材料。https://www.wurthshop.cn/

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非常适用于汽车LED前照灯等高速开关应用




全球知半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向车载设备、工业设备、消费电子设备等的电源电路和保护电路，推出*1超的0V耐压肖特基势垒二极管（以下简称“SBD”）“YQ系列”。




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二极管的种类有很多，其中高效率SBD被广泛用于各种应用。尤其是沟槽MOS结构的SBD，其VF低于平面结构的SBD，因此可以在整流等应用中提高效率。而普通沟槽MOS结构的产品，其比平面结构的要差，因此在用于开关应用时存在功率损耗增加的课题。针对这种课题，ROHM推出采用自有的沟槽MOS结构、同时改善了存在权衡关系的VF和IR、并现了业界超的YQ系列产品。




“YQ系列”是继以往支持各种电路应用的4个SBD系列之后推出的新系列产品，也是ROHM首款采用沟槽MOS结构的二极管。该系列利用ROHM自有的结构图片，现了业界超的（），与同样采用沟槽MOS结构的普通产品相比，单项的损耗降低约37%，总开关损耗降低约%，因此，有助于降低应用产品的功耗。另外，通过采用沟槽MOS结构，与以往采用平面结构的SBD相比，正向施加时的损耗VF*2和反向施加时的损耗IR*3均得到改善。这不仅可以降低在整流应用等正向使用时的功率损耗，还可以降低对于SBD而言比较令人担心的热失控风险*4。这些势使得该系列产品非常适用于容易发热的车载LED前照灯的驱动电路、EV用的DC-DC转换器等需要进行高速开关的应用。




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新产品从年月起全部投入量产（样品价格：0日元～个，不含税），样品可通过A360、S、RIC等售平台购买。今后，ROHM将持续努力提高从低耐压到高耐压半导体元器件的品质，并继续加强别具特色的产品阵容，为应用产品进一步现小型化和更低功耗贡献力量。




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＜关于SBD的沟槽MOS结构＞




沟槽MOS结构是在外延层中形成沟槽（沟槽MOS）并用多晶硅填充的结构，这种结构可以缓和电场集中，从而可以降低外延层的电阻率，在正向施加时VF更低。另外，当反向施加时，可以缓和电场集中现象，从而现更低的IR。前述的“YQ系列”通过采用这种沟槽MOS结构，与以往产品相比，VF改善了约7%，IR改善了约82%。另一方面，在普通沟槽MOS结构中，寄生电容（元器件中的电阻分量）较大，因此要比平面结构的差。“YQ系列”不仅改善了VF和IR，而且还利用ROHM自有的结构图片，现了约的业界超。由于可将开关时的损耗降低约%，因此非常有助于降低应用产品的功耗。




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＜应用示例＞




?汽车LED前照灯?EV用DC-DC转换器?工业设备电源?照明









＜产品阵容表＞




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＜支持页面和资源信息＞




ROHM的提供可以了解新产品电路势的应用指南，以及介绍包括新产品在内的各SBD系列产品特点的白皮书。在SBD产品页面中，可以通过输入耐压条件等参数来缩小产品范围，有助于图片时顺利选择产品。详情请访问以下址：




■ROHM的SBD产品页面




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■应用指南




《车载用小型高效肖特基势垒二极管“YQ系列”的势》




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■白皮书




有助于车载、工业和消费电子设备小型化并降低损耗的ROHMSBD产品阵容




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＜电商销售信息＞




电商平台：A360、S、RIC




产品型号：见上表。




新产品在其他电商平台也以开始逐步发售。




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＜术语解说＞




*1)反向恢复时间：（RRT）




开关二极管从导通状态到完全关断状态所需的时间。该值越低，开关时的损耗越小。




*2)正向电压：VF（FV）




当电流沿从＋到－的方向流动时产生的电压降。该值越低，效率越高。




*3)反向电流：IR（RC）




反向施加电压时产生的反向电流。该值越低，功耗（反向功耗）越小。




*4)热失控




当向二极管施加反向电压时，内部的芯片发热量超过了封装的散热量，导致IR值增加，比较终造成损坏的现象称为“热失控”。IR值高的SBD尤其容易发生热失控，因此在图片电路时需要格外注意。




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